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【英伟达发布800VDC架构及相关白皮书 氮化镓、固态变压器备受关注】在10月13开幕的OCP Global Summit 2025上,英伟达正式发布了面向未来AI数据中心的800V高压直流(800 VDC)电源架构,并同步发表相关白皮书,揭示其 “AI Factory(人工智能工厂)” 愿景。据了解,英伟达在最新的Vera Rubin GPU平台与 Kyber系统架构中,将首次采用 800VDC供电体系,使单机柜功率从传统的200kW跃升至1MW,为“千兆瓦级AI工厂”提供能源基础。
相较传统54V架构,800VDC让电流降低15倍以上,铜损显著减少,布线更轻、更高效。根据英伟达发布的白皮书,在未来兆瓦级AI系统中,传统硅器件的效率与热管理已接近极限。要在有限空间内实现更高算力密度与更低能耗,就必须采用能够在高电压、高频率下运行的新型功率器件。氮化镓(GaN)因此成为800VDC架构中不可或缺的关键技术,也是此次800VDC架构解决方案的核心。此外白皮书指出了一个关键的业界分歧:在实现这一高效供电方案的路径上,中压整流器被明确为当前快速部署的“强力候选”,而固态变压器技术则被承认仍拥有强大的竞争力。在固态变压器领域,国内产业链已从关键技术验证步入初步商业化应用阶段,中国西电、新特电气、四方股份等多家上市公司均已开展相关技术布局。(21财经)